Πληροφορίες Χωρητικότητα μνήμης flash

Το ποσό των χρήσιμων πληροφοριών που μπορεί να αποθηκεύσει σε ηλεκτρονική μορφή, ανάλογα με την ικανότητα μιας συγκεκριμένης συσκευής. Πολύ χρήσιμο από αυτή την άποψη είναι η μνήμη flash. Χαρακτηριστικά της συσκευής που χρησιμοποιείται, που συνήθως αναφέρονται σημαντικό όγκο και το μικρό φυσικό μέγεθος των μέσων μαζικής ενημέρωσης.

Τι είναι η μνήμη flash;

Έτσι ονομάζουμε ένα είδος τεχνολογίας ημιαγωγών ηλεκτρικά επαναπρογραμματιζομένων μνήμης. Η λεγόμενη πλήρη κυκλώματα από τεχνολογική άποψη, η απόφαση της κατασκευής μόνιμης αποθήκευσης.

Στην καθημερινή ζωή, η φράση «μνήμης flash» χρησιμοποιείται για να αναφερθεί σε μία ευρεία κατηγορία στερεάς κατάστασης συσκευές αποθήκευσης πληροφοριών, κάνοντας χρήση της ίδιας τεχνολογίας. Τα σημαντικά πλεονεκτήματα που οδήγησαν στην ευρεία χρήση τους, είναι οι εξής:

1. Συμπαγές.
2. Φτήνια.
3. Μηχανική αντοχή.
4. Μεγάλου όγκου.
5. Ταχύτητα.
6. Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας.

Εξαιτίας αυτού ολόκληρη η μνήμη flash μπορεί να βρεθεί σε πολλές φορητές ψηφιακές συσκευές, καθώς και σε μια σειρά μέσων μαζικής ενημέρωσης. Δυστυχώς, υπάρχουν μειονεκτήματα όπως περιορισμένη χρόνος της τεχνικής λειτουργίας του φορέα και την ευαισθησία σε ηλεκτροστατικές εκφορτίσεις. Αλλά αυτό που έχει την ικανότητα της μνήμης flash; Απίθανο να είναι σε θέση να μαντέψει, αλλά να προσπαθήσουμε. Η μέγιστη χωρητικότητα της μνήμης flash μπορεί να φθάσει τεράστια μεγέθη: έτσι, παρά το μικρό της μέγεθος, μέσα αποθήκευσης 128 GB διαθέσιμα προς πώληση τώρα λίγοι άνθρωποι θα είναι σε θέση να εκπλήξει. Δεν απέχει πολύ η στιγμή 1 TB θα είναι λίγο ενδιαφέρει.

Η ιστορία της δημιουργίας

Οι πρόδρομοι θεωρούνται μόνιμες συσκευές αποθήκευσης που διαγράφονται με υπεριώδη ακτινοβολία και την ηλεκτρική ενέργεια. Είχαν, επίσης, μια σειρά τρανζίστορ που είχε μια αιωρούμενη πύλη. Μόνο που εδώ τα ηλεκτρόνια σ 'αυτό Μηχανικών υλοποιηθεί με τη δημιουργία ενός μεγάλου ένταση ηλεκτρικού πεδίου από ένα λεπτό διηλεκτρικό. Αλλά αυτή η απότομα αυξημένη περιοχή καλωδίωσης που αντιπροσωπεύονται στα συστατικά της μήτρας, όταν ήταν απαραίτητο να καθοριστεί η αντίστροφη ένταση του πεδίου.

Ήταν δύσκολο να τους μηχανικούς να λύσει το πρόβλημα της πυκνότητας διαγραφή κυκλώματα. Το 1984, έγινε με επιτυχία λυθεί, αλλά λόγω της ομοιότητας των διαδικασιών να αναβοσβήνει μια νέα τεχνολογία που ονομάζεται «flash» (στα αγγλικά - «Flash»).

αρχή της λειτουργίας

Βασίζεται στην καταγραφή και την αλλαγή του ηλεκτρικού φορτίου που βρίσκεται σε μια απομονωμένη περιοχή της δομής των ημιαγωγών. Αυτές οι διαδικασίες συμβαίνουν μεταξύ της πηγής και της πύλης του μεγάλη χωρητικότητα για τάση ηλεκτρικό πεδίο στο λεπτό διηλεκτρικό τοποθετείται σε αυτό ήταν αρκετό για να προκαλέσει την επίδραση σήραγγας μεταξύ του θύλακα και του καναλιού του τρανζίστορ. Για να το ενισχύσει, χρησιμοποιώντας ένα ελαφρά επιτάχυνση ηλεκτρονίων, και στη συνέχεια η έγχυση του θερμού μεταφορέων συμβαίνει. Ανάγνωση πληροφοριών έχει ανατεθεί σε ένα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου. Pocket επιτελεί τη λειτουργία πύλης. δυναμικό του αλλάζει το όριο των χαρακτηριστικών του τρανζίστορ που καταγράφονται και να διαβάσετε τα κυκλώματα. Το σχέδιο έχει στοιχεία με τα οποία είναι δυνατή η υλοποίηση του έργου με μια μεγάλη ποικιλία τέτοιων κυττάρων. Λόγω του μικρού μεγέθους της μνήμης flash μέρη ικανότητα και είναι εντυπωσιακό.

Nor- και NAND-Συσκευές

Διακρίνονται από την μέθοδο, η οποία είναι η βάση των κυτταρικών συνδέσεων σε ένα ενιαίο συστοιχία, καθώς και ανάγνωση και τη γραφή αλγορίθμων. NOR σχεδιασμός βασίζεται στο κλασικό δισδιάστατο πλέγμα των αγωγών, όπου στην τομή της στήλης και σειράς έχει ένα μόνο κύτταρο. Συνεχώς αγωγό γραμμές που συνδέονται με τον αγωγό του τρανζίστορ, και η δεύτερη πύλη ενταχθούν στήλες. Πηγή συνδεδεμένο με το υπόστρωμα, το οποίο είναι κοινό για όλα. Αυτός ο σχεδιασμός καθιστά εύκολο να διαβάσει την κατάσταση των συγκεκριμένων τρανζίστορ, δίνοντας μια θετική δύναμη σε μια γραμμή και μία στήλη.

Για να εκπροσωπεί ό, τι των NAND, φανταστείτε ένα τρισδιάστατο πίνακα. Στη βάση της - όλοι το ίδιο μήτρα. Αλλά περισσότερο από ένα τρανζίστορ που βρίσκεται σε κάθε διασταύρωση, και έχει οριστεί για μια ολόκληρη στήλη, η οποία αποτελείται από κύτταρα συνδεδεμένων σε σειρά. Αυτό το σχέδιο έχει πολλά κυκλώματα πύλης μόνο μία διασταύρωση. Όταν αυτό μπορεί να αυξήσει σημαντικά (και αυτό χρήση) συστατικά πυκνότητα. Το μειονέκτημα είναι ότι πολύ πιο περίπλοκο αλγόριθμο εγγραφής για να έχουν πρόσβαση και να διαβάσετε το κύτταρο. Για NOR πλεονέκτημα είναι η ταχύτητα, και η έλλειψη - η μέγιστη χωρητικότητα δεδομένων της μνήμης flash. Για το μέγεθος NAND - συν και πλην - ταχύτητα.

SLC- και MLC-συσκευές

Υπάρχουν συσκευές που μπορεί να αποθηκεύσει ένα ή περισσότερα κομμάτια των πληροφοριών. Στον πρώτο τύπο μπορεί να είναι μόνο δύο επίπεδα μιας κυμαινόμενης επιβάρυνσης πύλη. Τέτοια κύτταρα ονομάζονται ενός δυαδικού ψηφίου. Με άλλα περισσότερους από αυτούς. multi-bit κυττάρου συχνά ονομάζεται επίσης πολυεπίπεδη. Είναι, παραδόξως, να διαφέρουν φτήνια και τον όγκο (με τη θετική έννοια), αν και είναι αργή να ανταποκριθεί και να μεταφέρει ένα μικρότερο αριθμό ξαναγράφει.

μνήμη ήχου

Καθώς η MLC είχε μια ιδέα να γράψετε το αναλογικό σήμα στο κύτταρο. Εφαρμογή του αποτελέσματος που προκύπτει στα έλαβε μάρκες που ασχολούνται με σχετικά μικρές αναπαραγωγής ήχου κομμάτια σε φθηνά προϊόντα (παιχνίδια, για παράδειγμα, κάρτες ήχου και παρόμοια πράγματα).

τεχνολογικών περιορισμών

διαδικασίες εγγραφής και ανάγνωσης διαφέρουν στην κατανάλωση ρεύματος. Έτσι, για την πρώτη μορφή έχει μια υψηλή τάση. Την ίδια στιγμή κατά την ανάγνωση του κόστους της ενέργειας είναι πολύ μικρή.

εγγραφές πόρων

Όταν οι αλλαγές συσσωρευμένο φορτίο μη αναστρέψιμες αλλαγές στη δομή. Ως εκ τούτου, η πιθανότητα του αριθμού των καταχωρήσεων για ένα κύτταρο είναι περιορισμένος. Ανάλογα με τη μνήμη και τη διαδικασία της συσκευής μπορεί να επιβιώσει εκατοντάδες χιλιάδες των κύκλων (αν και υπάρχουν ορισμένοι εκπρόσωποι αυτό και δεν κατέχουν έως και 1000).

Η συσκευές πολλαπλών-bit εγγυημένη διάρκεια ζωής είναι πολύ χαμηλά σε σύγκριση με άλλου είδους οργάνωση. Αλλά γιατί υπάρχει το πολύ υποβάθμιση όργανο; Το γεγονός ότι δεν μπορείτε να ελέγξετε ξεχωριστά την επιβάρυνση, η οποία έχει μια αιωρούμενη πύλη σε κάθε κελί. Μετά την εγγραφή και διαγραφή γίνονται για διάφορους δύο. Ποιοτικός έλεγχος διεξάγεται σύμφωνα με την μέση τιμή ή κύτταρο αναφοράς. Την πάροδο του χρόνου, υπάρχει μια αναντιστοιχία, και το φορτίο μπορεί να πάει πέρα από τα όρια της επιτρεπόμενης, τότε η πληροφορία γίνεται δυσανάγνωστο. Περαιτέρω, η κατάσταση θα επιδεινωθεί.

Ένας άλλος λόγος είναι η interdiffusion αγώγιμων και μονωτικών περιοχών σε μια δομή ημιαγωγού. Έτσι προκύπτουν περιοδικά ηλεκτρικών βλαβών, που οδηγεί σε σύγχυση των ορίων, και την κάρτα μνήμης flash εκτός λειτουργίας.

Διατήρηση δεδομένων

Δεδομένου ότι ο θύλακας μόνωσης ατελής, στη συνέχεια, σταδιακά την διάχυση χρέωση. Συνήθως μια περίοδο που μπορεί να αποθηκεύσει πληροφορίες - περίπου 10-20 χρόνια. Ειδικές περιβαλλοντικές συνθήκες επηρεάζουν δραστικά την περίοδο αποθήκευσης. Για παράδειγμα, υψηλή θερμοκρασία, ακτινοβολία γάμμα ή υψηλής ενέργειας σωματίδια μπορεί να καταστρέψει γρήγορα όλα τα δεδομένα. Ποιος είναι ο πιο προηγμένα μοντέλα που μπορούν να καυχηθούν ότι έχουν μεγάλη χωρητικότητα πληροφοριών της μνήμης flash, έχει αδυναμίες. Έχουν μικρότερη διάρκεια ζωής από ό, τι ήδη εδώ και πολύ καιρό και να διορθωθεί η συσκευή, η οποία δεν είναι απλώς τελειοποιηθεί.

συμπέρασμα

Παρά τα προβλήματα που εντοπίστηκαν στο τέλος του άρθρου, τεχνολογία μνήμης flash είναι πολύ αποτελεσματική, έτσι ώστε να είναι ευρέως διαδεδομένη. Και τα πλεονεκτήματά του είναι πάνω από το κάλυμμα ελαττώματα. Ως εκ τούτου, η χωρητικότητα των πληροφοριών της μνήμης flash έχει γίνει ένα πολύ χρήσιμο και δημοφιλές σε οικιακές συσκευές.